7 月 18 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道稱(chēng)，三星電子正積極開(kāi)發(fā) LLW DRAM 內(nèi)存，為蘋(píng)果 Vision Pro 后的下一代頭顯訂單做好準(zhǔn)備。
LLW DRAM 全稱(chēng) Low Latency Wide I/O DRAM，是一種高性能特殊內(nèi)存，擁有數(shù)量眾多的 I/O 引腳，具備高帶寬低延遲低功耗的優(yōu)勢(shì)。
三星電子宣稱(chēng)，其 LLW DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 128GB/s 的帶寬，同時(shí)能耗僅有 1.2pJ/bit。
▲ 三星半導(dǎo)體展示的 LLW DRAM 內(nèi)存結(jié)構(gòu)概念
據(jù)IT之家此前報(bào)道，與蘋(píng)果 Vision Pro 頭顯上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 內(nèi)存由 SK 海力士獨(dú)家供應(yīng)，可提供 256GB/s 帶寬。
該內(nèi)存單顆容量為 1GB，I/O 引腳數(shù)量是傳統(tǒng)內(nèi)存的八倍。如果以目前 LPDDR5 內(nèi)存的 64bit 作為基礎(chǔ)，那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 內(nèi)存位寬可達(dá) 512bit。
▲ SK 海力士 LLW DRAM 內(nèi)存結(jié)構(gòu)。圖源 Yole
韓媒報(bào)道提到，蘋(píng)果曾于 2022 年同三星電子就 LLW DRAM 供應(yīng)進(jìn)行過(guò)洽談，但最終 SK 海力士得到了這份訂單。
三星電子正積極開(kāi)發(fā) LLW DRAM 內(nèi)存技術(shù)，目前正處于小規(guī)模生產(chǎn)階段，目標(biāo)未來(lái)從 SK 海力士的手中奪取這一細(xì)分領(lǐng)域的市場(chǎng)份額。